抗辐照加固电源芯片线覆盖运算放大器、低压降稳压器（LDO）、GaN驱动电路等核心器件，针对高辐射、高温及振动等极端环境进行深度优化。全系产品采用抗辐照加固设计，具有≥1MRadSi总剂量耐受能力，抗SEU≥37MeVcm2/mg，抗SEL ≥ 75MeVcm2/mg；可与ISP芯片协同，形成“供电-成像-处理”全链路解决方案，显著缩短卫星载荷开发周期。